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TPS28226DRBR

Name: Texas Instruments TPS28226DRBR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DRBR
Price: 0.66 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

595-TPS28226DRBR

N° de fab. :

TPS28226DRBR

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Commandes de grilles Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226DRBT

Fiche technique:

TPS28226DRBR Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Type:	High-Side, Low-Side
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SON-8
Nombre de pilotes:	2 Driver
Nombre de sorties:	2 Output
Courant de sortie:	6 A
Tension d’alimentation - Min.:	4 V
Tension d’alimentation - Max.:	8.8 V
Temps de montée:	10 ns
Temps de descente:	5 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	TPS28226
Conditionnement:	Reel
Marque:	Texas Instruments
Fonctionnalités:	Synchronous Rectification
Délai de désactivation max.:	14 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	2.58 W
Type de produit:	Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Poids de l''unité:	24 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.