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UCC27210D

Name: Texas Instruments UCC27210D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27210D
Price: 3.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-UCC27210D

N° de fab. :

UCC27210D

Fab. :

Texas Instruments

Description :

Commandes de grilles 120V Boot 4A Peak Hi Freq Hi/Lo-Side Drv A 595-UCC27210DR

Fiche technique:

UCC27210D Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,56 €	3,56 €
	2,70 €	27,00 €
	2,29 €	57,25 €
	2,28 €	171,00 €
	2,24 €	672,00 €
	2,23 €	1 170,75 €
	2,15 €	2 257,50 €
	2,12 €	6 360,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	MOSFET Gate Drivers
Type:	High-Side, Low-Side
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Nombre de pilotes:	2 Driver
Nombre de sorties:	2 Output
Courant de sortie:	4 A
Tension d’alimentation - Min.:	8 V
Tension d’alimentation - Max.:	17 V
Temps de montée:	7.2 ns
Temps de descente:	5.5 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 140 C
Série:	UCC27210
Conditionnement:	Tube
Marque:	Texas Instruments
Type de produit:	Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine:	75
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Poids de l''unité:	76 mg

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Fiche technique

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EOL

Images

Models

UCC27210D Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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Codes de conformité

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.