UCC27211AQDRQ1

Texas Instruments
595-UCC27211AQDRQ1
UCC27211AQDRQ1

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Automotive 4-A 120- V half bridge gate d

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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En stock: 2 837

Stock:
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Délai usine :
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Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 25
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,31 € 2,31 €
1,71 € 17,10 €
1,57 € 39,25 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,57 € 4 710,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
3.7 A, 4.5 A
8 V
17 V
Non-Inverting
7.2 ns
5.5 ns
- 50 C
+ 150 C
UCC27211A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Type de logique: CMOS, TTL
Délai de désactivation max.: 17 ns
Délai d'activation max.: 17 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 3 mA
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 42 ns
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Mexique
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.