UCC27311AQDRCRQ1

Texas Instruments
595-UCC27311AQDRCRQ1
UCC27311AQDRCRQ1

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Automotive 120V 4A h alf-bridge gate dri

Cycle de vie:
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Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 50
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,20 € 2,20 €
1,64 € 16,40 €
1,50 € 37,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,50 € 4 500,00 €
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Texas Instruments
Catégorie du produit: Commandes de grilles
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RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VSON-10
2 Driver
2 Output
3.7 A, 4.5 A
8 V
17 V
Non-Inverting
7.2 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 150 C
UCC27311A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Texas Instruments
Type de logique: CMOS, TTL
Délai de désactivation max.: 17 ns
Délai d'activation max.: 17 ns
Courant d'alimentation de fonctionnement: 3 mA
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 42 ns
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pilotes demi-pont UCC27311A/UCC27311A-Q1

Les pilotes demi-pont UCC27311A/UCC27311A-Q1 de Texas Instruments sont des pilotes de grilles robustes conçus pour piloter deux MOSFET à canal N dans une configuration buck synchrone ou en demi-pont avec une tension d’amorçage maximale absolue de 120 V. Sa capacité de courant source de crête de 3,7 A et dissipateur de crête de 4,5 A permet au UCC27311A/UCC27311A-Q1 de piloter de grands MOSFET de puissance avec des pertes de commutation minimisées pendant la transition du plateau Miller. Le nœud de commutation (broche HS) peut gérer la tension transitoire négative, en protégeant le canal côté haut des tensions négatives inhérentes causées par la capacité de fuite et l’inductance parasite.