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RN1130MFV(TPL3)

Toshiba

N° Mouser :

757-RN1130MFV(TPL3)

N° de fab. :

RN1130MFV(TPL3)

Fab. :

Toshiba

Description :

Transistors numériques 50volts 100mA 3Pin 100Kohms x 100Kohms

Fiche technique:

RN1130MFV(TPL3) Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	Transistors numériques
RoHS:	N
Configuration:	Single
Polarité du transistor:	NPN
Résistance d'entrée type:	100 kOhms
Taux de résistance type:	1
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VESM-3
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	100
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Courant de collecteur continu :	100 mA
Courant collecteur de crête CC:	100 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	150 mW
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	RN1130MFV
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Émetteur - Tension de base VEBO:	10 V
Type de produit:	Digital Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	8000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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