SSM3J133TU,LF

Toshiba
757-SSM3J133TULF
SSM3J133TU,LF

Fab. :

Description :
MOSFET Small-signal MOSFET P-Channel

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

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Minimum : 1   Multiples : 1
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Ext. Prix:
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Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,507 € 0,51 €
0,309 € 3,09 €
0,197 € 19,70 €
0,149 € 74,50 €
0,132 € 132,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,109 € 327,00 €
0,10 € 600,00 €
0,093 € 837,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UFM-3
P-Channel
1 Channel
20 V
5.5 A
24.9 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
12.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
U-MOSVI
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: SSM3J133TU
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 107 ns
Délai d'activation standard: 32 ns
Poids de l''unité: 6,600 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.