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SSM3J331R,LF

Name: Toshiba SSM3J331R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3J331RLF
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-SSM3J331RLF

N° de fab. :

SSM3J331R,LF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

Fiche technique:

SSM3J331R,LF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,344 €	0,34 €
	0,21 €	2,10 €
	0,132 €	13,20 €
	0,098 €	49,00 €
	0,087 €	87,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,072 €	216,00 €
	0,065 €	390,00 €
	0,055 €	495,00 €
	0,053 €	1 272,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	10.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	U-MOSVI
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SSM3J331
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

SSM3J331R,LF Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Thaïlande
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.