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SSM3K16FS,LF

Name: Toshiba SSM3K16FS,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K16FSLF
Price: 0.17 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-SSM3K16FSLF

N° de fab. :

SSM3K16FS,LF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

Fiche technique:

SSM3K16FS,LF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,172 €	0,17 €
	0,106 €	1,06 €
	0,066 €	6,60 €
	0,048 €	24,00 €
	0,042 €	42,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,038 €	114,00 €
	0,033 €	198,00 €
	0,025 €	225,00 €
	0,023 €	552,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-416-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	100 mA
Rds On - Résistance drain-source:	3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	600 mV
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	100 mW
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MOSVI
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Transconductance directe - min.:	40 mS
Type de produit:	MOSFETs
Série:	SSM3K16FS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	125 ns
Délai d'activation standard:	70 ns
Poids de l''unité:	2,400 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Fiche technique

SSM3K16FS,LF Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.