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SSM6P816R,LF

Name: Toshiba SSM6P816R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6P816RLF
Price: 0.68 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-SSM6P816RLF

N° de fab. :

SSM6P816R,LF

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F

Fiche technique:

SSM6P816R,LF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	0,428 €	4,28 €
	0,277 €	27,70 €
	0,211 €	105,50 €
	0,19 €	190,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,162 €	486,00 €
	0,149 €	894,00 €
	0,134 €	1 206,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Toshiba
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

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Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.