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TK12A80W,S4X

Name: Toshiba TK12A80W,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK12A80WS4X
Price: 3.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK12A80WS4X

N° de fab. :

TK12A80W,S4X

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

Fiche technique:

TK12A80W,S4X Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	11.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	380 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	23 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	45 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	TK12A80W
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	70 ns
Poids de l''unité:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.