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TK20E60W,S1VX

Name: Toshiba TK20E60W,S1VX
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK20E60WS1VX
Price: 6.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK20E60WS1VX

N° de fab. :

TK20E60W,S1VX

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

Fiche technique:

TK20E60W,S1VX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	6,04 €	6,04 €
	3,25 €	32,50 €
	2,98 €	298,00 €
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	20 A
Rds On - Résistance drain-source:	130 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.7 V
Qg - Charge de grille:	48 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	165 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Tube
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	TK20E60W
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	50 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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Test/Quality Data

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.