TK39N60W5,S1VF

Toshiba
757-TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF

Fab. :

Description :
MOSFET Power MOSFET N-Channel

Modèle de ECAO:
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En stock: 4 415

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
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Prix (EUR)

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3,51 € 421,20 €
3,06 € 1 560,60 €
2,99 € 7 534,80 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38.8 A
62 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
135 nC
- 55 C
+ 150 C
270 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 120 ns
Série: TK39N60W5
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 200 ns
Délai d'activation standard: 180 ns
Poids de l''unité: 6 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.