TK7A60W,S4VX

Toshiba
757-TK7A60WS4VX
TK7A60W,S4VX

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC

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Toshiba
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
600 mOhms
- 30 V, 30 V
2.7 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marque: Toshiba
Configuration: Single
Temps de descente: 7 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 18 ns
Série: TK7A60W
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 55 ns
Délai d'activation standard: 40 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.