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TK7J90E,S1E

Name: Toshiba TK7J90E,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK7J90ES1E
Price: 3.34 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

757-TK7J90ES1E

N° de fab. :

TK7J90E,S1E

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN

Fiche technique:

TK7J90E,S1E Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,34 €	3,34 €
	2,27 €	22,70 €
	1,54 €	154,00 €
	1,33 €	665,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3PN-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.6 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSVIII
Conditionnement:	Tray
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	TK7J90E
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	55 ns
Poids de l''unité:	4,600 g

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Fiche technique

TK7J90E,S1E Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low R_DS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.