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TK8P65W,RQ

Name: Toshiba TK8P65W,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8P65WRQ
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

757-TK8P65WRQ

N° de fab. :

TK8P65W,RQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

Fiche technique:

TK8P65W,RQ Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,61 €	1,61 €
	1,28 €	12,80 €
	1,01 €	101,00 €
	0,937 €	937,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,858 €	1 716,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	7.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	670 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	80 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	DTMOSIV
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	TK8P65W
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Poids de l''unité:	360 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.