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TK9J90E,S1E

Name: Toshiba TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK9J90ES1E
Price: 3.42 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TK9J90ES1E

N° de fab. :

TK9J90E,S1E

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN

Fiche technique:

TK9J90E,S1E Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	3,42 €	3,42 €
	1,94 €	19,40 €
	1,58 €	158,00 €
	1,38 €	690,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-3P
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MOSVIII
Conditionnement:	Tray
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	35 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	TK9J90E
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	140 ns
Délai d'activation standard:	80 ns
Poids de l''unité:	1,600 g