Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

TPC8012-H(TE12L,Q)

Toshiba

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

Non assigné

N° de fab. :

TPC8012-H(TE12L,Q)

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET MOSFET N-Ch 200V 1.8A

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

TPC8012-H(TE12L,Q) Fiche technique

Disponibilité

Stock:: Indisponible

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	1.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	400 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.9 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	23 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	23 ns
Série:	TPC8012-H
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	83 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

TPC8012-H(TE12L,Q) Fiche technique

EOL

Toshiba - EOL - 10-27-10 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

TOSHIBA

MOSFET de puissance à canal N/canal P

Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

MOSFET à canal N TPH2R70AR5

Idéal pour les convertisseurs CC-CC à haute efficacité, il est disponible dans un boîtier SOP Advance (N).

MOSFET N-Channel 40V/80V/100V L-TOGL et S-TOGL AEC-Q

Logé dans un boîtier L-TOGL™ pour répondre à la demande croissante en batteries 48 V dans les équipements automobiles.

MOSFET à canal N en silicium TKx

Disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI, caractéristiques de performance exceptionnelles.

MOSFET à canal N au silicium TPH1400CQ5

MOSFET de puissance CMS à 8 broches conçu avec le procédé de fabrication à tranchée de génération U-MOSX-H.