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TPH3R10AQM,LQ

Name: Toshiba TPH3R10AQM,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R10AQMLQ
Price: 2.07 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

757-TPH3R10AQMLQ

N° de fab. :

TPH3R10AQM,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm

Fiche technique:

TPH3R10AQM,LQ Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,07 €	2,07 €
	1,34 €	13,40 €
	0,912 €	91,20 €
	0,729 €	364,50 €
	0,705 €	705,00 €
	0,691 €	1 727,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,669 €	3 345,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	83 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	210 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	30 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 ns
Série:	U-MOS X-H
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	104 ns
Délai d'activation standard:	45 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET U-MOS X-H à canal N 80 V

Les MOSFET U-MOS X-H à canal N 80 V de Toshiba fournissent une commutation rapide, une petite charge de grille et une faible dissipation d'énergie. Les MOSFET X-H U-MOS offrent une excellente résistance drain-source à l'état passant (R_DS(ON)) x résistance de transmission x valeur de capacité d'entrée (C_iss) conduisant à une conductivité élevée et à de faibles pertes de pilote de grille. La capacité de sortie réduite (C_OSS) réduit la charge de sortie (Q_OSS), augmentant l'efficacité de commutation de ces dispositifs. Ces MOSFET sont adaptés aux régulateurs de tension de commutation, aux pilotes de moteur et aux convertisseurs CC-CC à haut rendement.