Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

TPH3R506PL,LQ

Name: Toshiba TPH3R506PL,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R506PLLQ
Price: 0.59 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TPH3R506PLLQ

N° de fab. :

TPH3R506PL,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

Fiche technique:

TPH3R506PL,LQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Toshiba TPH3R506PL,LQ

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 27 Semaines Délai de production estimé en usine.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 3000 Multiples : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,59 €	1 770,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	135 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	55 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	116 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	U-MOSIX-H
Conditionnement:	Reel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.2 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.4 ns
Série:	TPH3R506PL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	8.8 ns
Poids de l''unité:	83 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

TPH3R506PL,LQ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.