TPN11003NL,LQ
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Fab. :
Description :
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V
En stock: 3 391
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Stock:
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Délai usine :
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12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
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|---|---|---|
| Ruban à découper / MouseReel™ | ||
| 1,14 € | 1,14 € | |
| 0,71 € | 7,10 € | |
| 0,468 € | 46,80 € | |
| 0,364 € | 182,00 € | |
| 0,329 € | 329,00 € | |
| Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000) | ||
| 0,283 € | 849,00 € | |
| 0,266 € | 1 596,00 € | |
| 0,263 € | 2 367,00 € | |
Fiche technique
Application Notes
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
- Pays d'origine:
- Chine
- Pays d'origine de l'assemblage:
- Non disponible
- Pays de diffusion:
- Non disponible
France
