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SI7629DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7629DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7629DN-T1-GE3
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SI7629DN-T1-GE3

N° de fab. :

SI7629DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 20V 35A 52W

Fiche technique:

SI7629DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,61 €	1,61 €
	1,02 €	10,20 €
	0,685 €	68,50 €
	0,541 €	270,50 €
	0,495 €	495,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,435 €	1 305,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	177 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	28 ns
Transconductance directe - min.:	64 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	38 ns
Série:	SI7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	75 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SI7629DN-GE3
Poids de l''unité:	1 g

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Fiche technique

SI7629DN-T1-GE3 Fiche technique

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.

MOSFET série Si76

Les MOSFET de puissance de série Si76 de Vishay Semiconductors sont des MOSFET de puissance TrenchFET^® pour commutateurs inférieurs dans des convertisseurs CC/CC et dans des OR-ings. Les MOSFET de canal P et N sont testés à 100 % en avalanche et Rg. Les MOSFET de la série Vishay Si76 offrent une large gamme de boîtiers et de tensions pour répondre aux besoins des utilisateurs.