Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SI7629DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7629DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7629DN-T1-GE3
Price: 1.61 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

781-SI7629DN-T1-GE3

N° de fab. :

SI7629DN-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET 20V 35A 52W

Fiche technique:

SI7629DN-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Vishay Semiconductors SI7629DN-T1-GE3

En stock: 26 695

Stock:: 26 695 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,61 €	1,61 €
	1,02 €	10,20 €
	0,685 €	68,50 €
	0,541 €	270,50 €
	0,495 €	495,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,435 €	1 305,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	177 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	28 ns
Transconductance directe - min.:	64 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	38 ns
Série:	SI7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	75 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SI7629DN-GE3
Poids de l''unité:	1 g