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SIHG110N65SF-GE3

Name: Vishay SIHG110N65SF-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHG110N65SF-GE3
Price: 4.15 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIHG110N65SF-GE3

N° de fab. :

SIHG110N65SF-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 650V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SIHG110N65SF-GE3 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,15 €	4,15 €
	2,74 €	27,40 €
	2,15 €	215,00 €
	1,91 €	955,00 €
	1,63 €	1 630,00 €
	1,54 €	3 850,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247AC-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	33 A
Rds On - Résistance drain-source:	115 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	83 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	313 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	26 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	30 ns