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SIHL050N65SF-GE3

Name: Vishay SIHL050N65SF-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHL050N65SF-GE3
Price: 5.39 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIHL050N65SF-GE3

N° de fab. :

SIHL050N65SF-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 650V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

SIHL050N65SF-GE3 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,39 €	5,39 €
	4,13 €	41,30 €
	3,35 €	335,00 €
	2,97 €	1 485,00 €
	2,55 €	2 550,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247AD-4L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	64 A
Rds On - Résistance drain-source:	52 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	141 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	520 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	38 ns
Transconductance directe - min.:	26 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	81 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	149 ns
Délai d'activation standard:	62 ns