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IRFB9N65APBF-BE3

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N° Mouser :

78-IRFB9N65APBF-BE3

N° de fab. :

IRFB9N65APBF-BE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET TO220 650V 8.5A N-CH MOSFET

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRFB9N65APBF-BE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	8.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	930 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	48 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	IRFB
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IRFB9N65APBF
Poids de l''unité:	2 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number without the BE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further assistance 
5-0321-9