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IRFP064

Vishay / Siliconix

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

844-IRFP064

N° de fab. :

IRFP064

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRFP064 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Version RoHS

Vishay Semiconductors IRFP064PBF

Fab. :

Vishay Semiconductors

N° de fab. :

IRFP064PBF

Description :

MOSFET TO247 N-CH 60V 70A

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Conditionnement:	Tube
Marque:	Vishay / Siliconix
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IRFP
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	38 g

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Fiche technique

IRFP064 Fiche technique

EOL

Obsolescence of Sn-Pb Lead Finish on Commercial High Voltage Power Mosfets (PDF)

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

TO-247AC (High Voltage)

REACH Certificate (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

VISHAY

MOSFET à canal N SiJK5100E

MOSFET de puissance TrenchFET^® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK^®avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET^® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP

MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V doté d'un facteur de performance (FOM) R_{DS x}Q_g très faible.