SIC632CD-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIC632CD-T1-GE3
SIC632CD-T1-GE3

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 50A, 4.5V - 24V DrMOS VRPower

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 802

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Tarif est.:
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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,42 € 2,42 €
1,81 € 18,10 €
1,65 € 41,25 €
1,48 € 148,00 €
1,40 € 350,00 €
1,38 € 690,00 €
1,33 € 1 330,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,26 € 3 780,00 €
1,23 € 7 380,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Vishay
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
PowerPak-31
1 Driver
1 Output
50 A
4.5 V
24 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
SIC
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Vishay / Siliconix
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TH
Tension d'entrée - max: 24 V
Tension d'entrée - min.: 4.5 V
Courant d'alimentation de fonctionnement: 525 uA
Type de produit: Gate Drivers
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Nom commercial: VRPower
Poids de l''unité: 3,439 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Étage de puissance intégré série SiC6 DrMOS

L'étage de puissance intégré DrMOS SiC620 de Vishay Semiconductors est optimisé pour les applications Buck synchrones afin d'offrir un courant, une efficacité et une densité de puissance élevés. Fourni dans le boîtier MLP 5 mm x 5 mm exclusif à Vishay, le SiC620 permet au régulateur de tension de fournir jusqu'à 60 A en courant continu par phase.Les MOSFET de puissance internes utilisent la technologie ultramoderne TrenchFET gén. IV de Vishay qui procure des performances de référence dans le secteur en réduisant de manière significative les pertes par conduction et commutation. 

Le SiC620 intègre un CI avancé de commande de grille de MOSFET qui comprend une capacité de conduite de courant élevé, un contrôle adaptatif de temps mort, une diode Schottky d'amorçage intégrée, un avertisseur thermique (THWn) qui alerte le système en cas de température de jonction excessive et une détection de courant homopolaire pour une efficacité améliorée à faible charge. Les commandes sont également compatibles avec une large gamme de contrôleurs PWM et prennent en charge la logique de modulation de largeur d'impulsion 3,3 V (SiC620A) ou 5 V (SiC620) à trois états.
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Étage de puissance intégré DrMOS VRPower

Vishay Semiconductors VRPower DrMOS Integrated Power Stages are optimized for synchronous buck applications to offer high current, high efficiency, and high power density performance. Packaged in Vishay's proprietary MLP package, SiC series power stages enable the voltage regulator designs to deliver continuous current per phase. The series incorporates an advanced MOSFET gate driver IC that features high current driving capability, adaptive dead-time control, integrated Schottky diode, and zero current detection to improve light load efficiency.
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Pilotes MOSFET isolés optiquement

Les pilotes MOSFET isolés optiquement de Vishay fournissent la tension requise pour piloter la grille d'un MOSFET basse tension. La tension de grille est générée par des cellules photovoltaïques et aucune alimentation électrique n'est nécessaire du côté de la sortie. Cela simplifie les conceptions lors de l’utilisation de MOSFET basse tension. Le VOM1271T monocanal fournit une tension de sortie de 8,4 V avec un courant direct d’entrée de seulement 10 mA. Le VO1263AACTR à canal double fournit une tension de sortie de 14,5 V.