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SIR165DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR165DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR165DP-T1-GE3
Price: 2.26 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIR165DP-T1-GE3

N° de fab. :

SIR165DP-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Fiche technique:

SIR165DP-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,26 €	2,26 €
	1,46 €	14,60 €
	0,998 €	99,80 €
	0,797 €	398,50 €
	0,735 €	735,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,697 €	2 091,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	92 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65.8 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	SIR
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SIR165DP-T1-GE3 Fiche technique

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.