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XP6NA1R4CXT

Name: YAGEO XP6NA1R4CXT
Brand: YAGEO XSemi
SKU: 603-XP6NA1R4CXT
Price: 2.68 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

603-XP6NA1R4CXT

N° de fab. :

XP6NA1R4CXT

Fab. :

YAGEO XSemi

Description :

MOSFET N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

Fiche technique:

XP6NA1R4CXT Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,68 €	2,68 €
	1,74 €	17,40 €
	1,20 €	120,00 €
	0,972 €	486,00 €
	0,937 €	937,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,869 €	2 607,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	YAGEO
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PMPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	210 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.45 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	122 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	YAGEO XSemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	91 ns
Transconductance directe - min.:	82 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	62 ns
Série:	XP
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	93 ns
Délai d'activation standard:	29 ns

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Fiche technique

XP6NA1R4CXT Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Composants de conversion de puissance de groupe

Le groupe YAGEO (YAGEO, Pulse, KEMET) conçoit des technologies de composants passifs qui sont essentiels dans les systèmes de conversion d'énergie, notamment les condensateurs de sécurité, d'amortissement et de liaison CC ; les résistances de détection de courant et de puissance ; ainsi que les composants magnétiques tels que les transformateurs, les bobines d'arrêt en mode commun et les inductances. Parce que chaque dispositif électronique nécessite une alimentation électrique, la grande majorité de ces produits utilisent une forme de conversion d'énergie ou d'alimentation électrique pour fournir l'énergie requise.

MOSFET de puissance

Les MOSFET de puissance YAGEO XSemi utilisent des techniques de traitement avancées pour une faible résistance de conduction, une grande efficacité et un bon rapport qualité-prix. Les MOSFET de puissance XSemi de YAGEO sont disponibles dans différents boîtiers pour répondre aux besoins d’application. Les paquets disponibles pour l'appareil sont largement utilisés pour les applications commerciales et industrielles.