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2N3390

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N° Mouser :

512-2N3390

N° de fab. :

2N3390

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

2N3390 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	500 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	25 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	25 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	500 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	400
Gain de courant CC hFE max.:	800
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	240 mg

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Fiche technique

2N3390 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542319000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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