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2N5401YBU

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N° Mouser :

512-2N5401YBU

N° de fab. :

2N5401YBU

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT PNP Transistor General Purpose

Fiche technique:

2N5401YBU Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	600 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	150 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	160 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Produit gain-bande passante fT :	400 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	2N5401
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	- 600 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	30 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 50 at 50 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	179 mg