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2N5550

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N° Mouser :

863-2N5550

N° de fab. :

2N5550

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT Small Signal NPN Bipolar Transistor

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

2N5550 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	600 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	140 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	160 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	250 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Produit gain-bande passante fT :	300 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	2N5550
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	600 mA
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	60
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

2N5550 Fiche technique

Models

2N5550 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

SPICE Models

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
ECCN:: EAR99

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