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BC858CLT1G

Name: onsemi BC858CLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-BC858CLT1G
Price: 0.11 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-BC858CLT1G

N° de fab. :

BC858CLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 100mA 30V PNP

Fiche technique:

BC858CLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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En stock: 116

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,112 €	0,11 €
	0,069 €	0,69 €
	0,043 €	4,30 €
	0,031 €	15,50 €
	0,028 €	28,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,021 €	63,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BC858CLT3G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,11 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	30 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	650 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	225 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	BC858CL
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	- 100 mA
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	MY
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	420
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	8 mg