BD13516STU

onsemi
512-BD13516STU
BD13516STU

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT NPN Epitaxial Sil

Modèle de ECAO:
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En stock: 3 950

Stock:
3 950 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
30 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,01 € 1,01 €
0,452 € 4,52 €
0,402 € 40,20 €
0,382 € 191,00 €
0,319 € 319,00 €
0,295 € 566,40 €
0,245 € 1 411,20 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Bulk
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,99 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-126-3
NPN
Single
1.5 A
45 V
45 V
5 V
500 mV
12.5 W
+ 150 C
BD135
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu : 1.5 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40
Gain de courant CC hFE max.: 250
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1920
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: BD13516STU_NL
Poids de l''unité: 761 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Chine
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.