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BD179

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N° Mouser :

863-BD179

N° de fab. :

BD179

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 3A 80V 30W NPN

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

BD179 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-225-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	3 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	80 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	800 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Produit gain-bande passante fT :	3 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	BD179
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu :	3 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	36
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

BD179 Fiche technique

PCN

SPICE Models

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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