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FFSB0865A

Name: onsemi FFSB0865A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB0865A
Price: 2.75 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FFSB0865A

N° de fab. :

FFSB0865A

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC 650V 8A SIC SBD

Fiche technique:

FFSB0865A Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,75 €	2,75 €
	2,11 €	21,10 €
	1,75 €	175,00 €
	1,69 €	845,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	1,66 €	1 328,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3
Configuration:	Single
If - Courant direct:	8 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	49 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSB0865A
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

FFSB0865A Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Dispositifs SiC à large bande interdite

Les dispositifs au carbure de silicium (SiC) à large bande interdite (WBG) d'onsemi intègrent une toute nouvelle technologie qui assure des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium. Le système bénéficie d'un rendement le plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système. Le portefeuille SiC d'onsemi’ comprend des diodes 650 V et 1 200 V, des modules de puissance intégrés IGBT et à diode SiC 650 V et 1 200 V et des dispositifs homologués AEC-Q100.

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onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.