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FFSB20120A

Name: onsemi FFSB20120A
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB20120A
Price: 8.47 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FFSB20120A

N° de fab. :

FFSB20120A

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC TO263 SBD 20A 1 200V

Fiche technique:

FFSB20120A Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	8,47 €	8,47 €
	5,81 €	58,10 €
	4,29 €	429,00 €
	4,02 €	2 010,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	4,02 €	3 216,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.45 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	135 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSB20120A
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	333 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

FFSB20120A Fiche technique

EOL

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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