FFSD10120A

onsemi
512-FFSD10120A
FFSD10120A

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC Silicon Carbide Schottky Diode

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
0

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Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
6,02 € 6,02 €
4,07 € 40,70 €
3,03 € 303,00 €
2,94 € 2 940,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
2,86 € 7 150,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single
10 A
1.2 kV
1.45 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSD10120A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: KR
Pays d'origine: KR
Pd - Dissipation d’énergie : 283 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: EliteSiC
Vr - Tension inverse: 1.2 kV
Poids de l''unité: 260,370 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99