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FFSD2065B

Name: onsemi FFSD2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD2065B
Price: 4.15 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FFSD2065B

N° de fab. :

FFSD2065B

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE DPAK 650V

Fiche technique:

FFSD2065B Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,15 €	4,15 €
	2,99 €	29,90 €
	2,24 €	224,00 €
	2,17 €	1 085,00 €
	2,12 €	2 120,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	2,02 €	5 050,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	80 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSD2065B
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

FFSD2065B Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.