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FFSH20120ADN-F155

Name: onsemi FFSH20120ADN-F155
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSH20120ADNF155
Price: 11.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

512-FFSH20120ADNF155

N° de fab. :

FFSH20120ADN-F155

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC 1200V SiC SBD 20A

Fiche technique:

FFSH20120ADN-F155 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Configuration:	Dual Anode Common Cathode
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.45 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	96 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSH20120A
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Raccourcis pour l'article N°:	FFSH20120ADN_F155
Poids de l''unité:	6,390 g

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Fiche technique

FFSH20120ADN-F155 Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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