FFSP08120A

onsemi
512-FFSP08120A
FFSP08120A

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 1200V SiC SBD 8A

Fiche technique:
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En stock: 560

Stock:
560 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,17 € 6,17 €
3,89 € 38,90 €
3,56 € 356,00 €
2,99 € 1 495,00 €
2,87 € 2 870,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
1.2 kV
1.45 V
68 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP08120A
Tube
Marque: onsemi
Pd - Dissipation d’énergie : 166 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: EliteSiC
Vr - Tension inverse: 1.2 kV
Poids de l''unité: 2,160 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FFSP SiC Schottky Diodes

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