Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

FFSP20120A

Name: onsemi FFSP20120A
Brand: onsemi
SKU: 512-FFSP20120A
Price: 10.78 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FFSP20120A

N° de fab. :

FFSP20120A

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode

Fiche technique:

FFSP20120A Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi FFSP20120A

En stock: 29

Stock:: 29 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,78 €	10,78 €
	7,40 €	74,00 €
	5,62 €	562,00 €
	5,50 €	2 750,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.45 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	135 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSP20120A
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Poids de l''unité:	2,160 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

FFSP20120A Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Dispositifs SiC à large bande interdite

Les dispositifs au carbure de silicium (SiC) à large bande interdite (WBG) d'onsemi intègrent une toute nouvelle technologie qui assure des performances de commutation et une fiabilité meilleures que celles du silicium. Le système bénéficie d'un rendement le plus élevé, d'une fréquence de fonctionnement plus rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système. Le portefeuille SiC d'onsemi’ comprend des diodes 650 V et 1 200 V, des modules de puissance intégrés IGBT et à diode SiC 650 V et 1 200 V et des dispositifs homologués AEC-Q100.

Diodes Schottky en carbure de silicium

Les diodes Schottky (SiC) en carbure de silicium fournissent des performances de commutation supérieures et une fiabilité plus élevée pour les appareils à base de silicium. Ces diodes offrent : un temps de recouvrement inverse nul, stabilité du courant indépendante de la température et d'excellentes performances thermiques. Les avantages du système incluent une haute efficacité, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance élevée, de faibles EMI et une réduction de la taille du système et des coûts. onsemi dispose d'un catalogue de diodes de 650 V et 1200 V dans un éventail d'options de boîtier et de courant, idéales pour les conceptions des systèmes d'alimentation de nouvelle génération.

Diodes EliteSiC D1

Les diodes EliteSiC D1 onsemi sont une solution polyvalente et haute performance conçue pour les applications électroniques de puissance modernes. Le D1 d'onsemi dispose d'une tension nominale de 650 V, 1 200 V et 1 700 V. Ces diodes offrent la flexibilité nécessaire pour répondre à diverses exigences de conception. Proposées dans différents boîtiers, tels que D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 et TO-247-3, les diodes EliteSiC D1 fournissent aux concepteurs des options pour optimiser l'espace sur la carte et les performances thermiques.