FGAF40S65AQ

onsemi
863-FGAF40S65AQ
FGAF40S65AQ

Fab. :

Description :
IGBTs 650V 40A FS4 SA IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 71

Stock:
71 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,87 € 2,87 €
1,86 € 18,60 €
1,50 € 180,00 €
1,31 € 668,10 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PF-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
94 W
- 55 C
+ 175 C
FGAF40S65AQ
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 80 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 400 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 8,538 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Corée, République de
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.