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FGH4L40T120LQD

Name: onsemi FGH4L40T120LQD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L40T120LQD
Price: 8 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FGH4L40T120LQD

N° de fab. :

FGH4L40T120LQD

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD

Fiche technique:

FGH4L40T120LQD Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,00 €	8,00 €
	5,64 €	56,40 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-4
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	306 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGH4L40T120LQD
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs

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Fiche technique

FGH4L40T120LQD Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: République tchèque
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: République tchèque

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IGBTs à arrêt de champ FGH4L40Tx 1200V/40A

Les transistors bipolaires 1200V/40A FGH4L40Tx isolée (IGBTs Onsemiarrêt de champ sont conçus pour une commutation à haut rendement dans les applications de puissance exigeantes. Ces IGBTs se caractérisent par une faible conduction et de faibles pertes de commutation, conviennent par conséquent parfaitement à une utilisation dans les systèmes entraînements à moteur, systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et les convertisseurs d’énergie renouvelable. Grâce à leur capacité de court-circuit robuste et à leurs performances de commutation douce, les IGBT prennent en charge le fonctionnement à haute fréquence tout en conservant leur stabilité thermique. La conception optimisée des IGBTs FGH4L40Tx basés sur la technologie onsemi Field Stop permet des performances fiables dans les topologies de commutation matérielle et logicielle, aidant les concepteurs à répondre aux exigences strictes d’efficacité et de densité de puissance dans les systèmes industriels axés sur l’énergie.