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FGH4L50T65MQDC50

Name: onsemi FGH4L50T65MQDC50
Brand: onsemi
SKU: 863-FGH4L50T65MQDC50
Price: 8.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FGH4L50T65MQDC50

N° de fab. :

FGH4L50T65MQDC50

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 650V 50A FS4 HYBRID IGBT

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

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Fiche technique:

FGH4L50T65MQDC50 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,31 €	8,31 €
	6,01 €	60,10 €
	5,13 €	513,00 €
450	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-4LD
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.45 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	100 A
Pd - Dissipation d’énergie :	246 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGH4L50T65MQDC50
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	100 A
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	EliteSiC

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Fiche technique

FGH4L50T65MQDC50 Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-8-7 (PDF)

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IGBT à arrêt de champ et vitesse intermédiaire FGH4L50T65MQDC50 IG 650 V

L'IGBT à arrêt de champ et vitesse intermédiaire FGH4L50T65MQDC50 650 V d'onsemi utilise la technologie IGBT à arrêt de champ 4th-generation et la technologie de diode SCHOTTKY SiC 1,5. Le FGH4L50T65MQDC50 d'onsemi est logé dans un boîtier compact TO-247 4-lead. Ce composant offre un rendement grâce à des pertes de conduction et de commutation minimales. Le FGH4L50T65MQDC50 est conçu pour diverses applications.

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.