FGH50T65SQD-F155

onsemi
512-FGH50T65SQD_F155
FGH50T65SQD-F155

Fab. :

Description :
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 188

Stock:
188 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,58 € 4,58 €
2,64 € 26,40 €
2,18 € 218,00 €
2,02 € 909,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
FGH50T65SQD
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 100 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 400 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: IGBTs
Raccourcis pour l'article N°: FGH50T65SQD_F155
Poids de l''unité: 6,390 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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