FGH75T65SQDNL4

onsemi
863-FGH75T65SQDNL4
FGH75T65SQDNL4

Fab. :

Description :
IGBTs 650V/75 FAST IGBT

Modèle de ECAO:
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En stock: 242

Stock:
242 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,18 € 8,18 €
5,66 € 56,60 €
5,07 € 608,40 €
4,67 € 2 381,70 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-4
Through Hole
Single
650 V
1.43 V
- 20 V, 20 V
200 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
FGH75T65SQDNL4
Tube
Marque: onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.: 200 A
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 7,047 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Japon
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.