Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

FGY100T120RWD

Name: onsemi FGY100T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-FGY100T120RWD
Price: 11.99 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FGY100T120RWD

N° de fab. :

FGY100T120RWD

Fab. :

onsemi

Description :

IGBTs 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT

Fiche technique:

FGY100T120RWD Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi FGY100T120RWD

En stock: 724

Stock:: 724 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,99 €	11,99 €
	7,30 €	73,00 €
	6,97 €	836,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.43 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	200 A
Pd - Dissipation d’énergie :	1.495 kW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FGY100T120RWD
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Courant de collecteur continu Ic max.:	200 A
Courant de fuite gâchette-émetteur:	400 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	IGBTs

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

FGY100T120RWD Fiche technique

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IGBT FGY100T120RWD

Les IGBT FGY100T120RWD d'onsemi combinent une nouvelle technologie IGBT de 7e génération à arrêt de champ dans un boîtier TO247 à 3 fils. Le FGY100T120RWD dispose de performances optimales, de faibles pertes de conduction et d'une bonne capacité de contrôle de commutation. Les IGBT FGY100T120RWD d'onsemi produisent un fonctionnement à haut rendement dans diverses applications, notamment le contrôle de moteur, les ASI, les centres de données et les commutateurs à haute puissance.

Entraînement de moteurs industriels

Les entraînements de moteurs industriels d'onsemi sont conçus pour une durabilité globale, fournissant des technologies efficaces et renouvelables et une alimentation intelligente. Selon l’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 (MSMA) publiée par le département de l’Énergie des États-Unis (DOE), les pompes et moteurs industriels consomment presque 15 % de la totalité de la capacité électrique américaine chaque année. L’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 estime également que 32,3 millions de tonnes métriques d'émissions de CO₂ peuvent être évitées chaque année grâce à l’utilisation de VFD. onsemi fabrique une large gamme de composants semi-conducteurs VFD, notamment des pilotes de grille, des MOSFET, des IGBT et EliteSiC.