FJD5555TM

onsemi
512-FJD5555TM
FJD5555TM

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT High Volt Fast Switching Trans

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Sur commande:
7 500
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Délai usine :
10
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,10 € 1,10 €
0,694 € 6,94 €
0,458 € 45,80 €
0,357 € 178,50 €
0,324 € 324,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
0,288 € 720,00 €
0,28 € 1 400,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
NPN
Single
5 A
400 V
1.05 kV
14 V
1.5 V
1.34 W
+ 150 C
FJD5555
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 260,370 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Chine
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

High Voltage Fast Switching Transistors

onsemi's high voltage fast switching transistors are bipolar junction transistors that provide ultra-fast switching speeds and low saturation voltage. The FJD5555 offers saturation voltage as low as 0.5V and the FJD5553 as low as 0.23V. The energy-efficient transistors feature a high breakdown voltage of 1050V and are packed in space-conserving 64mm2 DPAK packaging. The devices are ideal for electronic ballast, power supply, and industrial designs.