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J106

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N° Mouser :

512-J106

N° de fab. :

J106

Fab. :

onsemi

Description :

JFET N-Channel Switch

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

J106 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92
Polarité du transistor:	N-Channel
Configuration:	Single
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 25 V
Tension gâchette-cathode de coupure:	- 6 V
Courant drain/source à Vgs=0:	5 mA to 15 mA
Rds On - Résistance drain-source:	6 Ohms
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	J106
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	201 mg

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Filtrer les documents:

Fiche technique

J106 Fiche technique (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

JFET à canal N TF412

Conçu pour les amplificateurs à usage général à basse fréquence et les applications de convertission d'impédance.

Dispositifs qui combinent un JFET SiC à faible R_DS(on) avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique.

Transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ

Ce JFET présente une résistance d'activation ultra-faible (R_DS(on)) dans un boîtier TOLL compact.

Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ

Il combine un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L unique.

Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Ce dispositif présente une résistance de conduction ultra-faible [R_DS(ON)] dans un boîtier TO247-4.