Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

J270

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-J270

N° de fab. :

J270

Fab. :

onsemi

Description :

JFET P-Channel Transistor General Purpose

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

J270 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

Stock:: Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	JFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92
Polarité du transistor:	P-Channel
Configuration:	Single
Vgs - Tension de rupture grille-source:	30 V
Tension gâchette-cathode de coupure:	2 V
Courant drain/source à Vgs=0:	2 mA to 25 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	J270
Conditionnement:	Bulk
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Transconductance directe - min.:	0.006 S to 0.015 S
Type de produit:	JFETs
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	J270_NL
Poids de l''unité:	201 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

J270 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542319000
USHTS:: 8542310075
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

JFET à canal N TF412

Conçu pour les amplificateurs à usage général à basse fréquence et les applications de convertission d'impédance.

Dispositifs qui combinent un JFET SiC à faible R_DS(on) avec un MOSFET Si dans un boîtier compact et unique.

Transistor JFET SiC normalement activé UJ4N 750 V 4,3 mΩ

Ce JFET présente une résistance d'activation ultra-faible (R_DS(on)) dans un boîtier TOLL compact.

Combo-FET UG4SC 750 V 8,4 mΩ

Il combine un JFET SiC de 750 V et un MOSFET Si basse tension dans un boîtier TO-247-4L unique.

Transistor JFET canal N UF3N120007K4S 1 200 V

Ce dispositif présente une résistance de conduction ultra-faible [R_DS(ON)] dans un boîtier TO247-4.